更新時間：2023-08-17
640 15um制冷 InGaAs焦平面探測器Features（特點）640*512陣列格式15um 象元間距Kovar metal一級制冷低暗電流高量子效率高可操作性Applications（應用）近紅外成像超光譜秘密監(jiān)察半導體檢測天文學和科學工業(yè)熱成像
640 15um制冷 InGaAs焦平面探測器
Features（特點）
640*512陣列格式
15um 象元間距
Kovar metal一級制冷
低暗電流
高量子效率
高可操作性
Applications（應用）
近紅外成像
超光譜
秘密監(jiān)察
半導體檢測
天文學和科學
工業(yè)熱成像
640 15um制冷 InGaAs焦平面探測器參數見下表
| 型號 | FPA0640P15F-17-C | FPA0640P15F-17-T1 | FPA-640×512-K |
| 材料 | InGaAs | InGaAs | InGaAs |
| 響應波段 | 0.9um-1.7um | 0.9um-1.7um | 0.9um-1.7um |
| 圖像分辨率 | 640×512 | 640×512 | 640×512 |
| 像元尺寸 | 15um | 15um | 25um |
| 靶面尺寸 | 9.6mm×7.68mm | 9.6mm×7.68mm | 16mm×12.8mm |
| 封裝 | 64-pin CLCC | 28-pin SDIP Package | 28-pin MDIP |
| 重量 | 1.7g | 17g(±1.0) | 24.6g/24.467g |
| 有效像元率 | >99.5% | >99.5% | >99% |
| 暗電流 | ≤60fA | ≤50fA | ≤0.2pA |
| 量子效率 | ≥70% | ≥70% | ≥70% |
| 填充率 | / |
| ＞99% |
| 串擾 | / |
| ＜1% |
| 探測率 | / |
| ≥5×1012J(TE1) ≥7.5×1012J(TE2) |
| 響應非均勻性 | ≤10% | ≤10% | ≤10% |
| 非線性(大偏差) | ≤5% | ≤25% | ≤2% |
| 大像素率 | / | / | 10MHz |
| 增益 | High:99.9uV/e- Low:1.33uV/e- | High:99.9uV/e- Low:1.33uV/e- | High:23.6uV/e- Low:1.26 uV/e- |
| 滿阱容量 | High:19Ke- Low:1.44Me- | High:19Ke- Low:1.44Me- | High:118Ke- Low:1.9Me- |
| TEC 制冷 | 非制冷 | TE1 | TE1/TE2 |
| 工作溫度 | -20℃—85℃ | -20℃—85℃ | -20℃—85℃ |
| 儲存溫度 | -40℃—85℃ | -40℃—85℃ | -40℃—85℃ |
| 功耗 | 200mw | 200mw** | 325mw** |
注：**不帶制冷
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