24小時服務熱線:13379509417
更新時間:2023-08-18
倍增結構、光侵入式室溫型HgCdTe探測器特點室溫下工作;無需偏置;響應時間短;無閃動噪聲;從DC到高頻范圍工作;與快速邏輯元器件*兼容;動態范圍寬;大面積裝置;低成本;可根據客戶要求設計。
打印當前頁
發郵件給我們:ld@leadingoe.com
倍增結構、光侵入式室溫型HgCdTe探測器
PVMI-n(n表示特性波長,單位是微米)系列的光電探測器是多重異質結紅外光電探測器,使用高折射率的GaAs(或CdZnTe )過半球透鏡(標準)或者半球透鏡(可選)進行光浸入。這些裝置工作在8~12微米的范圍內,特別用于大范圍探測。他們的高性能和穩定性可以通過近開發的變隙半導體HgCdZnTe優化摻雜面和改進的表面處理來獲得。可以按客戶定制器件的要求提供四象限單元、多元件陣列、各種浸潤鏡頭、視窗和光濾波器。標準可以供貨的探測器(不帶視窗)封裝是改進的TO-39或BNC-based封裝。其它的封裝、視窗和連接器可以根據需求提供。
倍增結構、光侵入式室溫型HgCdTe探測器參數:
特性(@ 20ºC)
單位
LD-PVMI-8
LD-PVMI-10.6
特性波長λop
μm
8
10.6
探測率:
at λpeak
at λop
cmHz1/2/W
≥6 x 108
≥3 x 108
≥2 x 108
≥1 x 108
響應度–at λop
A*mm/W
≥0.04
≥0.01
響應時間τ
ns
≤4
≤1.5
電阻
Ω
50-300
20-150
光學面積(長 × 寬)
mm× mm
0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;
工作溫度
K
300
視場, F#
deg
36, 1.62
劉丹
86-029-81778987-205